Buffalo создала твердотельные накопители с памятью MRAM
Не так давно компания Buffalo показала прототипы первых твердотельных накопителей, в основе которых лежат модули магниторезистивной памяти с произвольным доступом – так называемой MRAM.
Память данного типа хранит данные посредством магнитных моментов, совмещая в себе достоинства динамической памяти и флеш-памяти. Микросхемы такого типа облают коротким временем доступа, являясь в то же время энергонезависимыми, что позволяет хранить данные в отсутствии питания. Кроме того, в процессе эксплуатации характеристики такой памяти в отличие от традиционной флеш-памяти не ухудшаются.
Отмечается также, что использование MRAM-чипов как кеша на обычных твердотельных накопителях позволит также существенно повысить надежность носителей – в случае сбоя системы подачи питания риск потери данных сводится к минимуму. Помимо этого, повышаются также показатели скорости передачи данных и энергетической эффективности.
Изделия, которые представила Buffalo, имеют вместимость 4 Гб, тогда как объем MRAM-кеша составляет 8 Мб.
Похожие статьи:
