Toshiba активно готовится к началу производства памяти нового поколения
Компания Toshiba планирует существенно ускорить работу по разработке и выводу на массовый рынок нового типа памяти.
Усилия японской корпорации ориентированы на создание новых модулей памяти NAND с объемной архитектурой. В будущем году должны появиться первые прототипы с емкостью в 128 Гбит и 256 Гбит. В 2014-ом году будут готовы инженерные образцы таких изделий. Массовое производство начнется в 2015-ом году – компания планирует начать поставлять изделия по 512 Гбит, тогда как в перспективе планируется выпускать изделия емкостью в 1 Тбит и больше.
Помимо этого, японский производитель активно работает над созданием магниторезистивной памяти с произвольным доступом, которая выполнена по технологии переключения за счет переноса спина. Данная методика сможет решить проблемы, с которыми обычная технология MRAM сталкивается при повышении тока записи и увеличении плотности размещения ячеек. Данный вид памяти планируется использовать в твердотельных накопителях в качестве кэш-памяти.
Похожие статьи:
