IBM анонсировала создание трековой памяти
Компания IBM объявила о создании прототипа памяти нового поколения. Она использует принцип, который в корне отличается от того, что используется в современных изделиях.
Слово “трековая” не случайно использовано в названии. Биты, которые записались в память, как бы перемещаются по треку - вокруг нанопроводника. В процессе работы между границами магнитного поля образуются так называемые стены, состоящие из магнитных доменов. Запись осуществляется импульсами тока, которые изменяют намагниченность доменных стен.
Первый экспериментальный образец уже изготовлен. Этот прототип содержит на своем кристалле все необходимые элементы для создания памяти нового поколения. Его изготовили на заводе IBM, который находится недалеко от Нью-Йорка.
Теоретически, новый носитель может вмещать в сотни раз больше информации на единицу объема, чем существующие аналоги. Новая память обладает исключительным быстродействием и надежностью. Энергопотребление новых кристаллов так же мало из-за отсутствия энергоемких компонентов. Однако до серийного производства еще далеко. Ученым понадобится не один год для того чтобы подготовить новинку к массовому производству.
Похожие статьи:
