Инженерам из Массчусета удалось уменьшить толщину кремния в фотоэлементах
Инженеры Массачусетского технологического университета нашли способ уменьшить толщину кремния в фотоэлементах и снизить его расход. Для того чтобы при уменьшении толщины сохранить долю поглощаемого света, ученые создавали углубления в материале. Однако углубления приводили к увеличению площади поверхности, что могло стать причиной рекомбинирования и поглощения возбужденных электронов. Поэтому ученым необходимо было решить задачу увеличения поглощения света при минимальном увеличении площади поверхности кремния.
Решением проблемы оказалось создание на поверхности кремния углублений, имеющих форму обращенных четырехгранных пирамид. Этот способ позволял, увеличивая площадь всего на 70%, достичь необходимой доли поглощенного света при уменьшении толщины кремния в 30 раз. После математического моделирования был создан опытный образец при помощи метода литографии.
Стоимость новых элементов должна быть намного ниже существующих на данный момент при почти одинаковой энергетической эффективности (у новых элементов этот показатель равен 20%, а у их предшественников 24%). Работу ученых опубликовал журнал Nano Letters, кроме того она выложена на сайте института.
Похожие статьи:
