Создана технология производства трехмерных транзисторов
Американские ученые создали технологию, по которой можно будет производить трехмерные транзисторы. В отличии от принятой планарной технологии производства полупроводниковых элементов, новая трехмерная технология позволит существенно уплотнить структуру чипов.
Корпорация Интел в будущем 2012 году намерена приступить к производству чипов нового поколения, основанных на этой технологии. Использование трех измерений в микроэлектронике позволит повысить эффективность работы чипов на треть при меньших габаритных размерах, а это в свою очередь позволит создавать конечные изделия меньшего размера при той же мощности.
Кроме того, ведется исследования для создания еще более плотной компоновки элементов. Это, так называемая, 14-нанометровая технология. Но, в этом случае, возникает ряд проблем, связанных с отграничением используемого материала - кремния. Для решения этих проблем ученые предполагают использовать материалы, изготовленные из элементов подгруппы бора и азота. В частности, такого вещества, как арсенид индия-галлия.
По мнению исследователей, применение новых материалов вкупе с трехмерной технологией производства позволит промышленности преодолеть рубеж в 10 нанометров. Это позволит создавать процессоры большей производительности и меньшим энергопотреблением.
Похожие статьи:
